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SI7434DP-T1-E3中文资料

SI7434DP-T1-E3图片

SI7434DP-T1-E3外观图

  • 大小：301KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
  • 数据列表：SI7434DP
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：155 毫欧 @ 3.8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
  • 功率 - 最大：1.9W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI7434DP-T1-E3TR

SI7434DP-T1-E3供应商

更新时间:2023-04-03 22:31:07
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